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傳英偉達(dá)Blackwell架構(gòu)GPU性能翻倍 采用3nm工藝

時間:2023-04-10 20:32:45
  • 來源:超能網(wǎng)
  • 作者:呂嘉儉
  • 編輯:豆角

近期出現(xiàn)了有關(guān)英偉達(dá)下一代GeForce RTX 50系列的新傳言,預(yù)計將采用Blackwell架構(gòu)GPU。以往一直有消息稱,Blackwell接替的是Hopper,對應(yīng)的是GB100,不過似乎還會有面向消費(fèi)市場的GB102。

傳英偉達(dá)Blackwell架構(gòu)GPU性能翻倍 采用3nm工藝

去年的Arete技術(shù)大會上,英偉達(dá)副總裁兼加速計算首席總監(jiān)Ian Buck重申了英偉達(dá)致力于每兩年更新主要GPGPU架構(gòu)的計劃,確認(rèn)Blackwell架構(gòu)GPU將會在2024年推出。預(yù)計GTC 2024年可能是Blackwell架構(gòu)將首次登場,服務(wù)器產(chǎn)品會先于GeForce顯卡出現(xiàn)。

據(jù)Wccftech匯總的消息,用于GeForce RTX 50系列的Blackwell架構(gòu)GPU仍然是單芯片設(shè)計,數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品則采用MCM封裝。英偉達(dá)對于AMD的小芯片策略并不擔(dān)心,消費(fèi)級上延續(xù)單芯片設(shè)計的最大優(yōu)勢是時間可控及低風(fēng)險,可以按時生產(chǎn)產(chǎn)品。

目前Hopper架構(gòu)和Ada Lovelace架構(gòu)GPU采用了臺積電定制的4nm工藝制造,英偉達(dá)在下一代Blackwell架構(gòu)GPU上將延續(xù)與臺積電的合作,選用3nm工藝制造。有內(nèi)部人士透露,臺積電的3nm工藝成本比起5nm工藝提高了25%,這有可能導(dǎo)致下一代GPU漲價。

英偉達(dá)將對Blackwell架構(gòu)進(jìn)行較大規(guī)模的修改,雖然不是全新的設(shè)計,但SM和CUDA會有一個新的結(jié)構(gòu),像光線追蹤性能這些性能也會得到進(jìn)一步優(yōu)化和加強(qiáng),RT單元有可能被PT單元所取代,以實(shí)現(xiàn)對Ada Lovelace架構(gòu)的性能翻倍。Blackwell架構(gòu)GPU很可能會支持GDDR7顯存,相比GDDR6X會有更高的效率,不過三星的GDDR6W也許會有一些機(jī)會。其顯存位寬存在512位的可能性,如果速率為36Gbps,那么顯存帶寬將超過2TB/s。

此外,GeForce RTX 50系列會采用PCIe 5.0接口,GPU核心頻率將達(dá)到3GHz或以上?;贕B102的RTX 5090將擁有144組SM,即18432個CUDA核心,L2緩存為96MB,搭配GDDR7顯存,采用PCIe 5.0 x16接口。

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