去年三星開始提供業(yè)界首款速率為24 Gbps的16Gb（2GB）GDDR6內存模塊，其基于三星10nm級別的1z工藝，采用了創(chuàng)新的電路設計、先進的絕緣材料（HKMG）和極紫外（EUV）技術，搭載的動態(tài)電壓開關（DVS）技術可根據性能要求調整工作電壓，將電源效率提高了20%，旨在提升下一代顯卡、筆記本電腦和游戲主機的圖形性能，同時也可以用在基于人工智能的應用程序和高性能（HPC）系統(tǒng)。

根據Hassan Mujtaba的報告，Rambus預計更快的GDDR6將會在今年年底前投入生產，速率將達到24 Gbps。

一直以來，GDDR6X相比GDDR6都有著更高的速率，美光去年已開始量產速率為24 Gbps的GDDR6X，容量為16Gb模塊。目前GeForce RTX 4080上采用的GDDR6X顯存為MT61K512M32KPA-24，額定速率本身應該是24 Gbps，但被設定在22.4 Gbps。

隨著GDDR6的速率也達到24 Gbps，AMD可能會因此而受益，出現(xiàn)在Radeon RX 7x50系列上。不知道隨著GDDR6速率趕上來，英偉達會不會更廣泛地在產品上采用。不過美光曾表示，在GDDR6X中對PAM4信號傳輸技術方面的創(chuàng)新使其比其他GDDR6產品更加節(jié)能。

相比于三星和美光，SK海力士似乎將重心放在HBM類存儲芯片上，旗下目前僅提供速率為20 Gbps的GDDR6。