最近ASML（阿斯麥）交付了第三代極紫外（EUV）光刻工具，新設(shè)備型號(hào)為Twinscan NXE:3800E，配備了0.33數(shù)值孔徑透鏡。相比于之前的Twinscan NXE:3600D，性能有了進(jìn)一步的提高，可以支持未來(lái)幾年3nm及2nm芯片的制造。

在ASML看來(lái)，Twinscan NXE:3800E代表了Low-NA EUV光刻技術(shù)在性能（每小時(shí)處理的晶圓數(shù)量）和精度方面的又一次飛躍。新的光刻設(shè)備可實(shí)現(xiàn)每小時(shí)處理195片晶圓的處理速度，相比Twinscan NXE:3600D的160片大概提升了22%，將來(lái)有可能提高至220片。此外，新工具還提供了小于1.1nm的晶圓對(duì)準(zhǔn)精度。

即便用于4/5nm芯片的生產(chǎn)，Twinscan NXE:3800E也能提升效率，讓制造商可以提高芯片生產(chǎn)的經(jīng)濟(jì)性，實(shí)現(xiàn)更為高效且更具成本效益的芯片生產(chǎn)。更為重要的一點(diǎn)，是Twinscan NXE:3800E對(duì)于制造2nm芯片和后續(xù)需要雙重曝光的制造技術(shù)有更好的效果，精度的提升會(huì)讓3nm以下的制程節(jié)點(diǎn)受益。

Twinscan NXE:3800E光刻機(jī)的價(jià)格并不便宜，機(jī)器的復(fù)雜性和功能是以巨大的成本為代價(jià)，每臺(tái)大概在1.8億美元。不過(guò)比起新一代High-NA EUV光刻機(jī)的報(bào)價(jià)，顯然還是要低很多。此前有報(bào)道稱，業(yè)界首款采用High-NA EUV光刻技術(shù)的TWINSCAN EXE:5200光刻機(jī)報(bào)價(jià)達(dá)到了3.8億美元。

ASML還會(huì)繼續(xù)推進(jìn)Low-NA EUV光刻設(shè)備的開發(fā)，接下來(lái)將帶來(lái)新款Twinscan NXE:4000F，計(jì)劃在2026年發(fā)布，這凸顯了ASML對(duì)EUV制造技術(shù)的承諾。