今年4月，美光與美國商務(wù)部簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據(jù)《芯片法案》提供約61.4億美元的直接撥款，另外還有75億美元的貸款，以提高美國在尖端存儲半導(dǎo)體生產(chǎn)方面的競爭力。

美光宣布，美國商務(wù)部已根據(jù)《芯片法案》為其商業(yè)半導(dǎo)體制造項目提供61.65億美元的直接撥款達(dá)成了協(xié)議。這部分資金將用于獎勵美光在2022年10月宣布的計劃，包括20年內(nèi)向紐約克萊工廠投資約1000億美元，以及向愛達(dá)荷州投資250億美元，計劃到2035年將美國先進(jìn)存儲器制造業(yè)的比例從不到2%提高到10%左右。預(yù)計這些項目將在美國創(chuàng)造約2萬個就業(yè)崗位，另外美光還計劃2030年之前投入約500億美元，專注于開發(fā)更先進(jìn)的存儲半導(dǎo)體技術(shù)。

此外，美國商務(wù)部已經(jīng)與美國簽署了一份條款初稿，將額外提供2.75億美元資金，用于擴(kuò)建美國位于弗吉尼亞州馬納薩斯的工廠。這項20億美元的投資，旨在將美光的1-alpha技術(shù)帶回美國。1-alpha技術(shù)于2021年推出，用于最新的LPDDR5 DRAM芯片。

美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示：“作為唯一一家總部位于美國的內(nèi)存制造商，美光具有獨特的優(yōu)勢，可以將領(lǐng)先的內(nèi)存制造業(yè)帶回美國，加強(qiáng)美國的技術(shù)領(lǐng)先地位，并促進(jìn)先進(jìn)技術(shù)的創(chuàng)新。”