IT之家10月20日消息，據(jù)中國科學院上海微系統(tǒng)所消息，上海微系統(tǒng)所魏星研究員團隊近日宣布，在300mmSOI晶圓制造技術方面已取得突破性進展，制備出了國內(nèi)第一片300mm射頻（RF）SOI晶圓。

據(jù)悉，相關科研團隊基于集成電路材料全國重點實驗室300mmSOI研發(fā)平臺，依次解決了300mmRF-SOI晶圓所需的低氧高阻晶體制備、低應力高電阻率多晶硅薄膜沉積、非接觸式平坦化等諸多核心技術難題，實現(xiàn)了國內(nèi)300mmSOI制造技術從無到有的重大突破。

為了制備適用于300mmRF-SOI的低氧高阻襯底，團隊自主開發(fā)了耦合橫向磁場的三維晶體生長傳熱傳質(zhì)模型，并首次揭示了晶體感應電流對硅熔體內(nèi)對流和傳熱傳質(zhì)的影響機制以及結(jié)晶界面附近氧雜質(zhì)的輸運機制，相關成果分別發(fā)表在晶體學領域的頂級期刊上。

官方表示，多晶硅層用作電荷俘獲層是RF-SOI中提高器件射頻性能的關鍵技術，晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅電阻率等參數(shù)與電荷俘獲性能有密切的關系。

此外，由于多晶硅/硅的復合結(jié)構，使得硅晶圓應力極難控制。團隊為制造適用于300mmRF-SOI晶圓的多晶硅層找到了合適的工藝窗口，實現(xiàn)了多晶硅層厚度、晶粒尺寸、晶向和應力的人工調(diào)節(jié)。