近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）在美國(guó)加州北部地區(qū)的地方法院對(duì)美光提起訴訟，指控對(duì)方侵犯其11項(xiàng)專(zhuān)利，涉及3D NAND閃存及DRAM產(chǎn)品，要求法院勒令美光停止在美國(guó)銷(xiāo)售侵權(quán)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，并支付相關(guān)的專(zhuān)利使用費(fèi)。

據(jù)Blocks & Files報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND閃存以及其他一些DDR5 SDRAM產(chǎn)品（Y2BM系列）侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)提交的專(zhuān)利或?qū)＠暾?qǐng)。

其實(shí)早在去年11月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)在美國(guó)加州北部地區(qū)的地方法院向美光提起訴訟，指控對(duì)方侵犯其8項(xiàng)專(zhuān)利與3D NAND閃存的專(zhuān)利。此外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還在上個(gè)月，在美國(guó)加州北部地區(qū)的聯(lián)邦法院提起訴訟，指控受美光資助的丹麥咨詢公司Strand Consult及其副總裁Roslyn Layton散布虛假信息，試圖破壞長(zhǎng)江存儲(chǔ)的市場(chǎng)聲譽(yù)和商業(yè)關(guān)系。

盡管長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2022年底被美國(guó)商務(wù)部列入了實(shí)體清單，無(wú)法從美國(guó)公司獲得先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備來(lái)制造128層及以上的3D NAND閃存，但是仍然努力地通過(guò)原有設(shè)備及國(guó)產(chǎn)設(shè)備繼續(xù)開(kāi)發(fā)新技術(shù)。基于Xtacking 3.0架構(gòu)的芯片仍在不斷生產(chǎn)，并且在今年早些時(shí)候，成功地將3D QLC NAND的耐久性大幅提高到3D TLC NAND的水平。此外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還在開(kāi)發(fā)基于Xtacking 4.0架構(gòu)的芯片，最快可能會(huì)在今年末出現(xiàn)，層數(shù)超過(guò)了300層。