日本在半導(dǎo)體材料方面居于世界領(lǐng)先地位，但因為缺乏完整產(chǎn)業(yè)鏈，工藝制程方面一直默默無聞，不過近些年，在日本政府大力扶持下，日本開始在工藝制程方面發(fā)力。

日本初創(chuàng)晶圓代工企業(yè)Rapidus最近公布了其2HP 2nm工藝的邏輯密度指標，竟然超越了臺積電N2，并且遠遠優(yōu)于Intel 18A，令人驚訝。

據(jù)悉，Rapidus 2HP的邏輯晶體管密度為每平方毫米2.3731億個，略微高于臺積電N2 2.3617億個，幅度不到5％，卡得非常準。

Intel 18A的晶體管密度沒有官方數(shù)據(jù)，估計約為每平方毫米1.8421億個，日本比之勝出接近30％！

至于臺積電N3B/E/P、Intel 3、三星3GAP等一系列3nm工藝，更是望塵莫及。

另外，Rapidus 2HP的單元庫包括一個HD高密度庫，高度為138個單元，間距為G45。

不過令人存疑的是，權(quán)威半導(dǎo)體分析機構(gòu)TechInsights此前分析認為，在高密度的邏輯晶體管密度指標上，臺積電N2其實做到了每平方毫米3.13億個，Intel 18A也有2.38億個，甚至三星2GAA都不算差約為2.31億個。

這些數(shù)據(jù)，遠高于日本方面宣傳的。

另外需要指出的是，Intel 18A晶體管密度明顯低于臺積電N2，并不代表其水平更差，而是采用了新的背面供電技術(shù)，占據(jù)了一些前方金屬層，導(dǎo)致邏輯密度偏低。

同時，Intel主要追求的不是最大密度，而是最高能效。

總的來說，如果Rapidus公布的數(shù)據(jù)屬實，至少說明日本2nm工藝達到了相當高的水準，但超越臺積電、Intel還有待商榷，尤其是這是一家新興企業(yè)。

Rapidus 2HP PDK(工藝設(shè)計包)將于2026年一季度提供，計劃2027年投入量產(chǎn)，但用于什么芯片尚不清楚。

當然，就算造假了也沒啥，鞠個躬的事兒嘛！