在今年初的GTC 2025大會上，英偉達更新了數(shù)據(jù)中心GPU路線圖，公布了下下一代數(shù)據(jù)中心GPU架構(gòu)的名字，稱為“Feynman”，名字取自于著名物理學家Richard Phillips Feynman，未來將接替“Rubin”。

據(jù)Notebookcheck報道，英偉達可能成為臺積電（TSMC）首批采用A16工藝的客戶之一，相對應的就是Feynman芯片。通常情況下，英偉達不會首先引入臺積電最先進的制程節(jié)點，而且更為成熟一點的工藝，就像現(xiàn)在Hopper和Blackwell選擇了4nm工藝，下一代的Rubin才到3nm工藝。Feynman將是英偉達首款采用GAA架構(gòu)晶體管的芯片，預計2028年到來。

A16基本上可以理解為N2P加入背部供電技術(shù)的產(chǎn)物，計劃2026年末量產(chǎn)。A16結(jié)合了臺積電的超級電軌（Super Power Rail）架構(gòu)，也就是背部供電技術(shù)，可以在正面釋放出更多的布局空間，提升邏輯密度和效能，適用于具有復雜訊號及密集供電網(wǎng)絡的高性能計算（HPC）產(chǎn)品。相比于N2P工藝，A16在相同工作電壓下速度快了8-10%，或者在相同速度下，功耗降低了15-20%，同時密度提升至原來的1.1倍。

隨著性能和芯片密度的大幅提高，現(xiàn)在先進制程的價格很高，傳聞臺積電的2nm工藝要從3萬美元左右起步。毫無疑問，如果英偉達選擇支持背面供電技術(shù)的A16工藝，那么肯定也不會便宜。